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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SSM6J207FE,LF
SSM6J207FE,LF

SSM6J207FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
SSM6J207FE,LF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SSM6J207FE,LF PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
192037 pcs
参考価格
USD 0.1325/pcs
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SSM6J207FE,LF 詳細な説明

品番 SSM6J207FE,LF
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.4A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.6V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 137pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 500mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 251 mOhm @ 650mA, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ ES6 (1.6x1.6)
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
重量 -
原産国 -

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