SSM6J207FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	SSM6J207FE,LF
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	137pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	251 mOhm @ 650mA, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6 (1.6x1.6)
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SSM6J06FU	TOS	SSM6J06FU TOS SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
SSM6J07FU	TOS	SSM6J07FU TOS SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
SSM6J08FU	TOSHIBA	SSM6J08FU TOSHIBA SC70-6 New Original Stocks	Dettagli
SSM6J206FE	TOSHIBA	SSM6J206FE TOSHIBA ES6 New Original Stocks	Dettagli
SSM6J206FE(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 2A ES6	Dettagli
SSM6J207FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6	Dettagli
SSM6J212FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 4A ES6	Dettagli
SSM6J213FE(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P CH 20V 2.6A ES6	Dettagli
SSM6J214FE(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH	Dettagli
SSM6J215FE(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P CH 20V 3.4A ES6	Dettagli