SSM6J207FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	SSM6J207FE,LF
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	137pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	500mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	251 mOhm @ 650mA, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	ES6 (1.6x1.6)
Paket / Fall	SOT-563, SOT-666
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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