| Artikelnummer | SSM6J214FE(TE85L,F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | ES6 |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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