SSM6J214FE(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	SSM6J214FE(TE85L,F
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	50 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.2V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	7.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±12V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	560pF @ 15V
FET機能	-
消費電力（最大）	500mW (Ta)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	ES6
パッケージ/ケース	SOT-563, SOT-666
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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