SSM6J503NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: SSM6J503NU,LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Cantidad de stock: 1313000 pcs
Precio de referencia: USD 0.1254/pcs
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Número de pieza	SSM6J503NU,LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	6-UDFNB (2x2)
Paquete / caja	6-WDFN Exposed Pad
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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