SSM6J503NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	SSM6J503NU,LF
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	6-UDFNB (2x2)
Paquet / cas	6-WDFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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