SSM6J503NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	SSM6J503NU,LF
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-UDFNB (2x2)
Paket / Fall	6-WDFN Exposed Pad
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SSM6J06FU	TOS	SSM6J06FU TOS SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6J07FU	TOS	SSM6J07FU TOS SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6J08FU	TOSHIBA	SSM6J08FU TOSHIBA SC70-6 New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6J206FE	TOSHIBA	SSM6J206FE TOSHIBA ES6 New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6J206FE(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 2A ES6	Einzelheiten
SSM6J207FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6	Einzelheiten
SSM6J212FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 4A ES6	Einzelheiten
SSM6J213FE(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P CH 20V 2.6A ES6	Einzelheiten
SSM6J214FE(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH	Einzelheiten
SSM6J215FE(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P CH 20V 3.4A ES6	Einzelheiten