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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SSM6J503NU,LF
SSM6J503NU,LF

SSM6J503NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM6J503NU,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SSM6J503NU,LF Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1313000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1254/pcs
Il nostro prezzo
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SSM6J503NU,LF Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM6J503NU,LF
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-UDFNB (2x2)
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Peso -
Paese d'origine -

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