IRF6100PBF

IRF6100PBF - Infineon Technologies

Numero di parte
IRF6100PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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IRF6100PBF Descrizione dettagliata

Numero di parte IRF6100PBF
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 15V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 4-FlipFet™
Pacchetto / caso 4-FlipFet™
Peso -
Paese d'origine -

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