| Numéro d'article | IRF6100PBF |
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| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 4-FlipFet™ |
| Paquet / cas | 4-FlipFet™ |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | Détails |
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IRF610L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | Détails |
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IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | Détails |
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IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | Détails |
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IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | Détails |
