| Artikelnummer | IRF6100PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 4-FlipFet™ |
| Paket / Fall | 4-FlipFet™ |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A | Einzelheiten |
 |
IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A | Einzelheiten |
 |
IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A | Einzelheiten |
 |
IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | Einzelheiten |
|
IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | Einzelheiten |
|
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | Einzelheiten |
 |
IRF610L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | Einzelheiten |
|
IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | Einzelheiten |
|
IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | Einzelheiten |
 |
IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | Einzelheiten |
