| номер части | IRF6100PBF |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5.1A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1230pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.2W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 4-FlipFet™ |
| Упаковка / чехол | 4-FlipFet™ |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A | подробности |
 |
IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A | подробности |
 |
IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A | подробности |
 |
IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | подробности |
|
IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | подробности |
|
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | подробности |
 |
IRF610L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | подробности |
|
IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | подробности |
|
IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | подробности |
 |
IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | подробности |
