IRF60R217

IRF60R217 - Infineon Technologies

Numero di parte
IRF60R217
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 58A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IRF60R217 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IRF60R217.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4777 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per IRF60R217

IRF60R217 Descrizione dettagliata

Numero di parte IRF60R217
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER IRF60R217