IRF610S

IRF610S - Vishay Siliconix

Numero di parte
IRF610S
fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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4038 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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IRF610S Descrizione dettagliata

Numero di parte IRF610S
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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