62-0136PBF - Infineon Technologies

Numero di parte	62-0136PBF
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3710pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 19A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Pacchetto / caso	8-SOIC
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
62-0063PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC	Dettagli
62-0095PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	Dettagli
62-0136PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Dettagli
62-0203PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO	Dettagli
62-0209PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli
62-0216PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli
62-0239PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli
62-0245PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli
62-0253PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli
62-0254PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli