62-0203PBF - Infineon Technologies

Numero di parte	62-0203PBF
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8676pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 16A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
62-0063PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC	Dettagli
62-0095PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	Dettagli
62-0136PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Dettagli
62-0203PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO	Dettagli
62-0209PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli
62-0216PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli
62-0239PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli
62-0245PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli
62-0253PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli
62-0254PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Dettagli