• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › 62-0203PBF
62-0203PBF

62-0203PBF - Infineon Technologies

品番
62-0203PBF
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
62-0203PBF PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
62-0203PBF.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4226 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください 62-0203PBF

62-0203PBF 詳細な説明

品番 62-0203PBF
部品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 16A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 900mV @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 91nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 8676pF @ 10V
Vgs（最大） ±8V
FET機能 -
消費電力（最大） 2.5W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 7 mOhm @ 16A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 -
原産国 -

関連製品 62-0203PBF

画像 品番 メーカー 説明 見る
62-0063PBF 62-0063PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC 詳細
62-0095PBF 62-0095PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC 詳細
62-0136PBF 62-0136PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC 詳細
62-0203PBF 62-0203PBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO 詳細
62-0209PBF 62-0209PBF Infineon Technologies DIODE SHOCTTKY 詳細
62-0216PBF 62-0216PBF Infineon Technologies DIODE SHOCTTKY 詳細
62-0239PBF 62-0239PBF Infineon Technologies DIODE SHOCTTKY 詳細
62-0245PBF 62-0245PBF Infineon Technologies DIODE SHOCTTKY 詳細
62-0253PBF 62-0253PBF Infineon Technologies DIODE SHOCTTKY 詳細
62-0254PBF 62-0254PBF Infineon Technologies DIODE SHOCTTKY 詳細