62-0203PBF - Infineon Technologies

Numéro d'article	62-0203PBF
État de la pièce	Obsolete
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	16A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8676pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 16A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
62-0063PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC	Détails
62-0095PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	Détails
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62-0203PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO	Détails
62-0209PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Détails
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