| Numéro d'article | 62-0136PBF |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3710pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 19A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Paquet / cas | 8-SOIC |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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62-0063PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC | Détails |
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62-0095PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | Détails |
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62-0136PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | Détails |
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62-0203PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO | Détails |
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62-0209PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Détails |
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62-0216PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Détails |
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62-0239PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Détails |
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62-0245PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Détails |
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62-0253PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Détails |
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62-0254PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Détails |
