62-0136PBF - Infineon Technologies

номер части	62-0136PBF
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	19A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	44nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	3710pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 19A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	-
Упаковка / чехол	8-SOIC
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
62-0063PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC	подробности
62-0095PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	подробности
62-0136PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	подробности
62-0203PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO	подробности
62-0209PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	подробности
62-0216PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	подробности
62-0239PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	подробности
62-0245PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	подробности
62-0253PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	подробности
62-0254PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	подробности