62-0136PBF - Infineon Technologies

Número de pieza	62-0136PBF
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3710pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 19A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Paquete / caja	8-SOIC
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
62-0063PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC	Detalles
62-0095PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	Detalles
62-0136PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Detalles
62-0203PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO	Detalles
62-0209PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles
62-0216PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles
62-0239PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles
62-0245PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles
62-0253PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles
62-0254PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles