62-0203PBF - Infineon Technologies

Número de pieza	62-0203PBF
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	16A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8676pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 16A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
62-0063PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC	Detalles
62-0095PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	Detalles
62-0136PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Detalles
62-0203PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO	Detalles
62-0209PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles
62-0216PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles
62-0239PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles
62-0245PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles
62-0253PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles
62-0254PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Detalles