62-0136PBF - Infineon Technologies

Artikelnummer	62-0136PBF
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	19A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3710pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 19A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	-
Paket / Fall	8-SOIC
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
62-0063PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC	Einzelheiten
62-0095PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	Einzelheiten
62-0136PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Einzelheiten
62-0203PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO	Einzelheiten
62-0209PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten
62-0216PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten
62-0239PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten
62-0245PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten
62-0253PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten
62-0254PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten