| Artikelnummer | 62-0136PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3710pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 19A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | 8-SOIC |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
62-0063PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC | Einzelheiten |
|
62-0095PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | Einzelheiten |
|
62-0136PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | Einzelheiten |
|
62-0203PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO | Einzelheiten |
|
62-0209PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
|
62-0216PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
|
62-0239PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
|
62-0245PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
|
62-0253PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
|
62-0254PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Einzelheiten |
