62-0063PBF - Infineon Technologies

Artikelnummer	62-0063PBF
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2550pF @ 6V
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 15A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
62-0063PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC	Einzelheiten
62-0095PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	Einzelheiten
62-0136PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Einzelheiten
62-0203PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO	Einzelheiten
62-0209PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten
62-0216PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten
62-0239PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten
62-0245PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten
62-0253PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten
62-0254PBF	Infineon Technologies	DIODE SHOCTTKY	Einzelheiten