| 品番 | 62-0095PBF |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta), 12A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.55V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 900pF @ 10V |
| Vgs（最大） | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2W |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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62-0063PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC | 詳細 |
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62-0095PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | 詳細 |
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62-0136PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | 詳細 |
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62-0203PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO | 詳細 |
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62-0209PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | 詳細 |
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62-0216PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | 詳細 |
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62-0239PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | 詳細 |
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62-0245PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | 詳細 |
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62-0253PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | 詳細 |
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62-0254PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | 詳細 |
