| Numero di parte | 62-0095PBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 12A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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62-0063PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC | Dettagli |
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62-0095PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | Dettagli |
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62-0136PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | Dettagli |
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62-0203PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO | Dettagli |
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62-0209PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Dettagli |
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62-0216PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Dettagli |
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62-0239PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Dettagli |
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62-0245PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Dettagli |
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62-0253PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Dettagli |
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62-0254PBF | Infineon Technologies | DIODE SHOCTTKY | Dettagli |
