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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMT69M8LFV-7
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMT69M8LFV-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMT69M8LFV-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2605000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.3002/pcs
Il nostro prezzo
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DMT69M8LFV-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMT69M8LFV-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 30V
Vgs (massimo) ±16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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