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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMT6004SPS-13
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMT6004SPS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMT6004SPS-13 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
34764 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.7763/pcs
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DMT6004SPS-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMT6004SPS-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4556pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

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