| 부품 번호 | DMT6004SPS-13 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 95.4nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4556pF @ 30V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 50A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PowerDI5060-8 |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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DMT6002LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 | 세부 |
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DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 22A | 세부 |
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DMT6004SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 | 세부 |
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DMT6004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 | 세부 |
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DMT6005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 100A TO220AB | 세부 |
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DMT6005LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | 세부 |
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DMT6005LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | 세부 |
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DMT6005LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI | 세부 |
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DMT6005LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8 | 세부 |
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DMT6007LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | 세부 |
