DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMT6002LPS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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DMT6002LPS-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMT6002LPS-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6555pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

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