• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMT6002LPS-13
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13 - Diodes Incorporated

品番
DMT6002LPS-13
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMT6002LPS-13 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
6250 pcs
参考価格
USD 0.8539/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13 詳細な説明

品番 DMT6002LPS-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 6V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 130.8nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6555pF @ 30V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 2.3W
Rds On（Max）@ Id、Vgs 2 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI5060-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
重量 -
原産国 -

関連製品 DMT6002LPS-13

画像 品番 メーカー 説明 見る
DMT6002LPS-13 DMT6002LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 詳細
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 22A 詳細
DMT6004SCT DMT6004SCT Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 詳細
DMT6004SPS-13 DMT6004SPS-13 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 詳細
DMT6005LCT DMT6005LCT Diodes Incorporated MOSFET NCH 60V 100A TO220AB 詳細
DMT6005LFG-13 DMT6005LFG-13 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 詳細
DMT6005LFG-7 DMT6005LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 詳細
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI 詳細
DMT6005LSS-13 DMT6005LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8 詳細
DMT6007LFG-13 DMT6007LFG-13 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 詳細