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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMT6005LFG-7
DMT6005LFG-7

DMT6005LFG-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMT6005LFG-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMT6005LFG-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
371377 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.44335/pcs
Il nostro prezzo
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DMT6005LFG-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMT6005LFG-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48.7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3150pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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