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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMT6005LPS-13
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMT6005LPS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMT6005LPS-13 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
12500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.4991/pcs
Il nostro prezzo
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DMT6005LPS-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMT6005LPS-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17.9A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2962pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

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