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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMT6004SCT
DMT6004SCT

DMT6004SCT - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMT6004SCT
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMT6004SCT Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
125 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.07/pcs
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DMT6004SCT Descrizione dettagliata

Numero di parte DMT6004SCT
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4556pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.65 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

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