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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › DMT69M8LFV-7
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMT69M8LFV-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMT69M8LFV-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2605000 pcs
Referenzpreis
USD 0.3002/pcs
Unser Preis
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DMT69M8LFV-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMT69M8LFV-7
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 33.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 30V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 42W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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