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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › DMT6005LFG-13
DMT6005LFG-13

DMT6005LFG-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMT6005LFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMT6005LFG-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
371377 pcs
Referenzpreis
USD 0.44335/pcs
Unser Preis
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DMT6005LFG-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMT6005LFG-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 48.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150pF @ 30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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