| Artikelnummer | VS-ETF150Y65N |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Half Bridge Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 650V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 201A |
| Leistung max | 600W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.17V @ 15V, 150A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | - |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B | Einzelheiten |
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VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | Einzelheiten |
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VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | Einzelheiten |
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VS-ETH0806-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | Einzelheiten |
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VS-ETH0806FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | Einzelheiten |
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VS-ETH1506-1HM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A TO-262 | Einzelheiten |
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VS-ETH1506-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 | Einzelheiten |
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VS-ETH1506FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP | Einzelheiten |
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VS-ETH1506S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | Einzelheiten |
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VS-ETH1506SHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | Einzelheiten |
