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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › VS-ETF150Y65N
VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte
VS-ETF150Y65N
fabbricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descrizione
IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
VS-ETF150Y65N Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
22 pcs
Prezzo di riferimento
USD 99.6/pcs
Il nostro prezzo
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VS-ETF150Y65N Descrizione dettagliata

Numero di parte VS-ETF150Y65N
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Configurazione Half Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 201A
Potenza - Max 600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 150A
Corrente - Limite del collettore (max) -
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce -
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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