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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › VS-ETF150Y65N
VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番
VS-ETF150Y65N
メーカー
Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明
IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
VS-ETF150Y65N PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
22 pcs
参考価格
USD 99.6/pcs
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VS-ETF150Y65N 詳細な説明

品番 VS-ETF150Y65N
部品ステータス Active
IGBTタイプ NPT
構成 Half Bridge Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 201A
電力 - 最大 600W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.17V @ 15V, 150A
電流 - コレクタ遮断（最大） -
入力容量（Cies）@ Vce -
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ -
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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