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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - IGBT - 모듈 › VS-ETF150Y65N
VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N - Vishay Semiconductor Diodes Division

부품 번호
VS-ETF150Y65N
제조사
Vishay Semiconductor Diodes Division
간단한 설명
IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - IGBT - 모듈
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
22 pcs
참고 가격
USD 99.6/pcs
우리의 가격
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VS-ETF150Y65N 상세 설명

부품 번호 VS-ETF150Y65N
부품 상태 Active
IGBT 형 NPT
구성 Half Bridge Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 201A
전력 - 최대 600W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 150A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce -
입력 Standard
NTC 서미스터 Yes
작동 온도 175°C (TJ)
실장 형 -
패키지 / 케이스 Module
공급 업체 장치 패키지 Module
무게 -
원산지 -

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