VS-ETH1506SHM3 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	VS-ETH1506SHM3
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	15A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	2.45V @ 15A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	42ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	15µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket	TO-263AB (D²PAK)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-65°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VS-ETF075Y60U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B	Einzelheiten
VS-ETF150Y65N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 650V 150A EMIPAK-2B	Einzelheiten
VS-ETF150Y65U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 650V 150A EMIPAK-2B	Einzelheiten
VS-ETH0806-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2	Einzelheiten
VS-ETH0806FP-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2	Einzelheiten
VS-ETH1506-1HM3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE HYPERFAST 15A TO-262	Einzelheiten
VS-ETH1506-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2	Einzelheiten
VS-ETH1506FP-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP	Einzelheiten
VS-ETH1506S-M3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK	Einzelheiten
VS-ETH1506SHM3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE HYPERFAST 15A D2PAK	Einzelheiten