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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › PMPB100XPEAX
PMPB100XPEAX

PMPB100XPEAX - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer
PMPB100XPEAX
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
PMPB100XPEAX PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
18090 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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PMPB100XPEAX detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PMPB100XPEAX
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 122 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
Vgs (Max) +8V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 388pF @ 10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 550mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-DFN2020MD (2x2)
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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