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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › PMPB11EN,115
PMPB11EN,115

PMPB11EN,115 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer
PMPB11EN,115
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
PMPB11EN,115 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
PMPB11EN,115.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
85378 pcs
Referenzpreis
USD 0.3158/pcs
Unser Preis
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PMPB11EN,115 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PMPB11EN,115
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-DFN2020MD (2x2)
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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