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| Artikelnummer | PMPB11EN,115 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.6nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 9A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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PMPB100ENEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB100ENEX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB100XPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD | Einzelheiten |
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PMPB10XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN | Einzelheiten |
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PMPB10XNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB10XNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB11EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN | Einzelheiten |
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PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | Einzelheiten |
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PMPB12UNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB12UNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | Einzelheiten |
