| Artikelnummer | PMPB100ENEX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DFN2020MD-6 |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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PMPB100ENEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB100ENEX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB100XPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD | Einzelheiten |
.jpg "PMPB10XNE,115") |
PMPB10XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN | Einzelheiten |
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PMPB10XNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB10XNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB11EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN | Einzelheiten |
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PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | Einzelheiten |
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PMPB12UNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 | Einzelheiten |
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PMPB12UNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | Einzelheiten |
