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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › PMPB10XNE,115
PMPB10XNE,115

PMPB10XNE,115 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer
PMPB10XNE,115
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
PMPB10XNE,115 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
PMPB10XNE,115.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
144675 pcs
Referenzpreis
USD 0.185/pcs
Unser Preis
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PMPB10XNE,115 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PMPB10XNE,115
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2175pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-DFN2020MD (2x2)
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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