PMPB10XNE,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PMPB10XNE,115
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2175pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 9A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	6-DFN2020MD (2x2)
Paquet / cas	6-UDFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PMPB100ENEAX	Nexperia USA Inc.	PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220	Détails
PMPB100ENEX	Nexperia USA Inc.	PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220	Détails
PMPB100XPEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD	Détails
PMPB10XNE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN	Détails
PMPB10XNEAX	Nexperia USA Inc.	PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220	Détails
PMPB10XNEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT1220	Détails
PMPB11EN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN	Détails
PMPB12UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN	Détails
PMPB12UNEAX	Nexperia USA Inc.	PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220	Détails
PMPB12UNEX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT1220	Détails