PMPB12UNEAX - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	PMPB12UNEAX
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	7.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	0.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1.22nF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.6W (Ta), 12.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DFN2020MD-6
Paquet / cas	6-UDFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PMPB100ENEAX	Nexperia USA Inc.	PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220	Détails
PMPB100ENEX	Nexperia USA Inc.	PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220	Détails
PMPB100XPEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD	Détails
PMPB10XNE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN	Détails
PMPB10XNEAX	Nexperia USA Inc.	PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220	Détails
PMPB10XNEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT1220	Détails
PMPB11EN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN	Détails
PMPB12UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN	Détails
PMPB12UNEAX	Nexperia USA Inc.	PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220	Détails
PMPB12UNEX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 20V SOT1220	Détails