| Numéro d'article | PMPB10XNEAX |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 0.9V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2.175nF @ 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | DFN2020MD-6 |
| Paquet / cas | 6-UDFN Exposed Pad |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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PMPB100ENEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220 | Détails |
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PMPB100ENEX | Nexperia USA Inc. | PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220 | Détails |
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PMPB100XPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD | Détails |
.jpg "PMPB10XNE,115") |
PMPB10XNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN | Détails |
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PMPB10XNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 | Détails |
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PMPB10XNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | Détails |
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PMPB11EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN | Détails |
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PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | Détails |
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PMPB12UNEAX | Nexperia USA Inc. | PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 | Détails |
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PMPB12UNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | Détails |
