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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › PMPB12UN,115
PMPB12UN,115

PMPB12UN,115 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
PMPB12UN,115
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
PMPB12UN,115 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3574 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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PMPB12UN,115 Description détaillée

Numéro d'article PMPB12UN,115
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.9A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 886pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-DFN2020MD (2x2)
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad
Poids -
Pays d'origine -

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Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
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